据国家电力投资集团有限公司在10日发布了重要的公告,国电投核力创芯(无锡)科技有限公司,成功交付了首批氢离子注入性能优化芯片产品。
那这次的成功,对我国的半导体领域具有什么意义,又能否帮助我国的半导体技术,一举超越美国?
一直以来,人们对半导体和芯片的了解比较模糊,虽然它们都是电子工程领域的关键组成部分,并且也都是用于构建电子设备和系统的核心功能,但其实两者有着非常大的区别。
半导体可以认为是一种材料,它是指常温下导电性能,介于导体与绝缘体之间的材料,所以它就能成为构建电子元件的最佳选择。
常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等等,其中硅是最常用的材料,因为它在微电子领域,具有高稳定性和良好的物理化学性能。
从1833年,英国科学家法拉第首次发现半导体现象以来,经过近两个世纪的发展,半导体的应用已经十分广泛,包括集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、大功率电源转换等诸多领域。
反观芯片,它也叫“集成电路”,是一种微型电子元件,通常来讲,一个芯片中继承了多个电子元件,就比如电阻、电容、晶体管等等。
芯片的组成虽然复杂,但却几乎存在于所有的电子设备中,因为它不但可以处理复杂的计算任务,还能做到保存数据、控制运行,以及现在常用的语音识别、图像处理等。
所以通俗来讲,半导体更像是芯片底层元件中不可或缺的材料,而这也代表着,半导体技术的成熟与否,将直接影响到芯片的研发。
美国联合西方国家对我国芯片的打压已经不是一朝一夕了,而他们是通过对半导体技术的限制,来对我国的芯片技术进行干扰。
但从事实的方面出发,美国目前是全世界半导体技术最强的国家,他们拥有众多知名的芯片制造商和研发机构。
芯片制造商就包括英特尔、台积电、高通等,而研发机构就包括斯坦福大学、加州理工学院等名校。
这些公司和研究机构都具有广泛的影响力,因为他们的技术创新和研发,将会直接影响到全球的半导体技术发展。
除此之外,美国在半导体价值链的所有的环节都有深厚的布局,从设计到制造,再到封装、生产,他们的产业链十分完整。
这种种因素堆积起来,使得美国能在半导体领域呼风唤雨,他们能让日韩成为亚洲的半导体大厂,同时也能因害怕而遏制我国的半导体发展。
众所周知,美国最常用的手段就是以“国家安全”为名,对其他几个国家进行胁迫勒索,而这也是他们对我国半导体技术使用的手段。
在技术上,美国联合荷兰、日本,一起对先进半导体设备的出口进行限制,还试图锁死逻辑芯片在14nm、DRAM内存在18nm、NAND闪存在128层的技术发展。
所以这就导致我国的半导体领域陷入了窘境,在技术上我们相对落后,因此依赖进口;产能上原本靠着华为芯片有了显著的进步,可在华为受到制裁后,产能也陷入了瓶颈。
但自古以来,中国人最不怕的就是压迫,而这就必须提到,国家电投旗下的国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心。
国家电投成立于2015年5月29日,是由中国电力投资集团和国家核电技术合并重组而成,同时也是我国第一家拥有光伏发电、风电、核电、水电等全部发电类型的能源企业。
在我国半导体技术和装备,面临层层封锁和挑战下,原子能机构核技术研发中心坚持自力更生、自主创新的道路。
氢离子注入是半导体晶圆制造中,仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体和第三代半导体等产品的制作的完整过程中,有着至关重要的作用。
首先氢离子注入的剂量、能量和深度,需要精确控制,以确保能够达到材料改性的预期效果。
其次,在注入过程中,通常要在高真空环境下进行,这样做才能够避免杂质污染和减少离子散射。
同时还需要注意材料的兼容性,氢离子注入技术虽然适用于多种材料,这中间还包括半导体材料、金属、陶瓷等,但具体效果可能因材料而异。
最后就是在注入后,有必要进行退火等后续处理,从而消除注入过程中产生的缺陷,并能提升材料性能的稳定。
经过长达三年时间的努力,原子能机构核技术研发中心突破了多项关键技术壁垒,实现了100%自主技术和100%装备国产化。
所以这一次的成功,不仅标志着我国已经全面掌握,功率半导体高能氢离子注入核心技术和制造,还补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环。
换句话来说就是,我国的半导体在氢离子注入技术领域,已不再惧怕外国的垄断与打压。
不过,半导体产业的发展是一个复杂且漫长的过程,并且也涉及到了多个领域的协同发展和创新。
所以氢离子注入技术的突破的确是个重要的里程碑,它代表我国在半导体制造领域取得到了进展,但想要提升半导体产业的全面发展和国际竞争力,还需要更加多的技术创新和突破,同时对产业链上下游的协同合作来说,也是个不小的考验。
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